[1]张迷,郑丽兰,黎明锴,等. SnO薄膜在r面蓝宝石衬底上的外延生长及其性能研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2017,(03):227.
 [J].,2017,(03):227.
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 SnO薄膜在r面蓝宝石衬底上的
外延生长及其性能研究
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《湖北大学学报(自然科学版)》[ISSN:1000-2375/CN:42-1212/N]

卷:
期数:
2017年03期
页码:
227
栏目:
出版日期:
2017-04-10

文章信息/Info

作者:
 张迷郑丽兰黎明锴卢寅梅 何云斌
 (功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室(湖北大学),湖北大学材料科学与工程学院,湖北 武汉 430062)
关键词:
 关键词:SnO薄膜脉冲激光沉积(PLD)外延生长光学带隙
文献标志码:
A
摘要:
 摘要:以SnO陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD),在厚度为330 nm的r面蓝宝石衬底上制备厚度约为270 nm的单相SnO外延薄膜,并通过改变衬底温度,系统地研究生长温度对薄膜结构及光学性质的影响.X线衍射(XRD)测试表明,在衬底温度小于或等于575 ℃时,成功制备出单相的SnO外延薄膜.薄膜与衬底蓝宝石的外延关系为:SnO(001)∥Al2O3(1102),SnO [110]∥Al2O3 [-12-10].而当温度大于575 ℃时,由于歧化反应:(1+x)SnO→xSn+SnO1+x,得到的SnO薄膜中存在少量的金属Sn相、Sn3O4及SnO2相.透射光谱显示,样品在可见光区的透过率高达80%.薄膜的光学带隙随温度的增加呈现V字型变化趋势.衬底温度小于或等于575 ℃时,薄膜的光学带隙随温度的升高而减小;当生长温度大于575 ℃时,由于SnO2的出现导致薄膜的带隙随温度升高而变大.
更新日期/Last Update: 2017-05-06