[1]唐志武,徐马记,陶欣,等. 高质量外延VO2薄膜制备及其金属绝缘体相变特性研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2017,(03):302.
 [J].,2017,(03):302.
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 高质量外延VO2薄膜制备
及其金属绝缘体相变特性研究
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《湖北大学学报(自然科学版)》[ISSN:1000-2375/CN:42-1212/N]

卷:
期数:
2017年03期
页码:
302
栏目:
出版日期:
2017-04-10

文章信息/Info

作者:
 唐志武徐马记陶欣黎明锴何云斌
 功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室(湖北大学)
关键词:
关键词:VO2金属绝缘体相变(MIT)脉冲激光沉积(PLD) 外延薄膜
文献标志码:
A
摘要:
 摘要:采用脉冲激光沉积法,在c面蓝宝石衬底上,以VO2陶瓷作为烧蚀靶材,高纯氧气作为反应气体,固定衬底温度600 ℃,通过改变生长氧压制备VO2薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪测试,系统研究生长氧压对VO2薄膜晶体结构、表面形貌、金属绝缘体相变(MIT)特性的影响.实验结果表明:生长氧压1.2 Pa时,薄膜(020)晶面摇摆曲线半高宽低至0.061°,结晶质量高;薄膜表面平整光滑;薄膜相变温度接近68 ℃,金属绝缘体转变特性显著,电阻率有4个数量级变化.
更新日期/Last Update: 2017-05-06