[1]徐马记,唐志武,李派,等. 超薄VO2外延薄膜的制备及其金属绝缘体相变的原位研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2017,(03):222.
 [J].,2017,(03):222.
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 超薄VO2外延薄膜的制备及其金属绝缘体
相变的原位研究
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《湖北大学学报(自然科学版)》[ISSN:1000-2375/CN:42-1212/N]

卷:
期数:
2017年03期
页码:
222
栏目:
出版日期:
2017-04-10

文章信息/Info

作者:
 徐马记唐志武李派黎明锴何云斌
 (功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室(湖北大学),湖北大学材料科学与工程学院,湖北 武汉 430062)
关键词:
 关键词:VO2薄膜金属绝缘体相变电子束蒸发法扫描隧道显微镜低能电子衍射X线光电子能谱
文献标志码:
A
摘要:
 摘要:采用电子束蒸发法(EBE)在单晶TiO2(110)衬底上沉积VO2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330 ℃,氧压2×10-6 mbar,然后通过改变不同的V蒸发速率和生长时间制备出不同特性的VO2薄膜.利用原位的扫描隧道显微镜、低能电子衍射(LEED)和X线光电子能谱系统地分析所得样品的表面形貌、结构特征以及相转变过程中的能带结构变化,并对比找出EBE制备法的最佳生长条件.结果表明,当蒸发束流固定在20 nA时,LEED点阵较亮,薄膜显示出接近于原子级平滑的表面;随着生长时间的增加,表面变粗糙,点阵变暗,V的价态逐渐降低,从+5价过渡到+3价;在薄膜厚度接近10个原子层时, 薄膜存在金属绝缘体相变行为.
更新日期/Last Update: 2017-05-06